Продукція > LITTELFUSE > IXXA50N60B3

IXXA50N60B3 Littelfuse

Name: IXXA50N60B3
Brand: IXYS
SKU: 459857829-1
Price: 823.96 UAH
Availability: BackOrder

littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_50n60b3_datasheet.pdf.pdf

Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXXA50N60B3 Littelfuse

Description: IGBT 600V 120A TO-263AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A, Supplier Device Package: TO-263AA, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/150ns, Switching Energy: 670µJ (on), 1.2mJ (off), Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 600 W.

Інші пропозиції IXXA50N60B3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXXA50N60B3	Виробник : IXYS	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 600W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-off time: 320ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 75ns кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXXA50N60B3	Виробник : IXYS	Description: IGBT 600V 120A TO-263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A Supplier Device Package: TO-263AA Td (on/off) @ 25°C: 27ns/150ns Switching Energy: 670µJ (on), 1.2mJ (off) Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 600 W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXXA50N60B3	Виробник : IXYS	IGBTs TO220 600V 50A XPT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXXA50N60B3	Виробник : IXYS	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 600W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-off time: 320ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 75ns	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.