на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 985.92 грн |
| 10+ | 925.88 грн |
| 30+ | 727.87 грн |
| 60+ | 701.9 грн |
| 120+ | 673.93 грн |
| 270+ | 662.61 грн |
| 510+ | 661.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH100N60B3 IXYS
Description: IGBT 600V 220A 830W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns, Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off), Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 143 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 220 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A, Power - Max: 830 W.
Інші пропозиції IXXH100N60B3 за ціною від 1030.84 грн до 1030.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXH100N60B3 | Виробник : IXYS |
 Description: IGBT 600V 220A 830W TO247ADPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off) Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V Gate Charge: 143 nC Current - Collector (Ic) (Max): 220 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A Power - Max: 830 W |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IXXH100N60B3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 220A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||
 |
IXXH100N60B3 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 143nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 480A Turn-on time: 92ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 830W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
|
|
IXXH100N60B3 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 143nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 480A Turn-on time: 92ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 830W Kind of package: tube |
товар відсутній |