Продукція > IXYS > IXXH110N65C4
IXXH110N65C4

IXXH110N65C4 IXYS

IXXH110N65C4.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 160ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 167nC
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+976.51 грн
3+863.11 грн
5+827.70 грн
10+765.11 грн
30+650.63 грн
60+592.98 грн
120+581.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXH110N65C4 IXYS

Description: IGBT PT 650V 234A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns, Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 180 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 234 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A, Power - Max: 880 W.

Інші пропозиції IXXH110N65C4 за ціною від 511.57 грн до 1134.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS ds100497c%28ixxh110n65c4%29.pdf Description: IGBT PT 650V 234A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 234 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1134.58 грн
30+672.58 грн
120+580.66 грн
510+511.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH110N65C4_Datasheet.PDF IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007912513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH110N65C4 - IGBT, 235 A, 2.06 V, 880 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 880
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 235
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 Littelfuse ds100497c%28ixxh110n65c4%29.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 ds100497c%28ixxh110n65c4%29.pdf
IXXH110N65C4
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 234A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 234 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1134.58 грн
30+672.58 грн
120+580.66 грн
510+511.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH110N65C4_Datasheet.PDF
IXXH110N65C4
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 LFSI-S-A0007912513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXXH110N65C4
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH110N65C4 - IGBT, 235 A, 2.06 V, 880 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 880
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 235
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 ds100497c%28ixxh110n65c4%29.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.