Продукція > IXYS > IXXH110N65C4
IXXH110N65C4

IXXH110N65C4 IXYS

IXXH110N65C4.pdf Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 110A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+634.99 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXH110N65C4 IXYS

Description: IGBT 650V 234A 880W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns, Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 180 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 234 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A, Power - Max: 880 W.

Інші пропозиції IXXH110N65C4 за ціною від 374.92 грн до 808.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh110n65c4_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 650V 234A 880W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 234 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+725.41 грн
30+ 557.91 грн
120+ 499.17 грн
510+ 413.34 грн
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 Виробник : IXYS IXXH110N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 110A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+761.98 грн
2+ 531.63 грн
6+ 483.64 грн
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 Виробник : IXYS media-3322195.pdf IGBT Transistors 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+789.36 грн
10+ 666.27 грн
30+ 526.09 грн
120+ 482.14 грн
270+ 454.17 грн
510+ 396.23 грн
1020+ 374.92 грн
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007912513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH110N65C4 - IGBT, 235 A, 2.06 V, 880 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 880
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 235
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+808.3 грн
5+ 769.45 грн
10+ 730.61 грн
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh110n65c4_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній