IXXH110N65C4 IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH110N65C4 - IGBT, 235 A, 2.06 V, 880 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 880
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 235
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 909.75 грн |
| 5+ | 866.03 грн |
| 10+ | 822.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH110N65C4 IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IGBT PT 650V 234A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns, Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 180 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 234 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A, Power - Max: 880 W.
Інші пропозиції IXXH110N65C4 за ціною від 437.24 грн до 1092.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXH110N65C4 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 167nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 110A Pulsed collector current: 600A Turn-on time: 71ns Turn-off time: 160ns |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXXH110N65C4 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PT 650V 234A TO-247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 234 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A Power - Max: 880 W |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXXH110N65C4 | Виробник : IXYS |
IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXXH110N65C4 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 167nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 110A Pulsed collector current: 600A Turn-on time: 71ns Turn-off time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 234 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXXH110N65C4 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |