IXXH150N60C3

IXXH150N60C3 Littelfuse


littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh150n60c3_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 1360000mW
на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+677.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXH150N60C3 Littelfuse

Description: IGBT PT 600V 300A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 150A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns, Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.8mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 200 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 300 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 1360 W.

Інші пропозиції IXXH150N60C3 за ціною від 454.33 грн до 1105.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+721.23 грн
2+480.27 грн
6+454.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+865.47 грн
2+598.50 грн
6+545.20 грн
30+544.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 Виробник : IXYS media-3323158.pdf IGBTs TO247 600V 150A XPT
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1091.66 грн
10+948.50 грн
120+712.35 грн
270+710.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 Виробник : IXYS littelfusediscreteigbtsxptixxh150n60c3datashe.pdf Description: IGBT PT 600V 300A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 1360 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1105.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.