Продукція > IXYS > IXXH30N60B3
IXXH30N60B3

IXXH30N60B3 IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixxh30n60b3-datasheet?assetguid=d739ac3e-36c4-461d-98f0-cf1e634fe83d
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/97ns
Switching Energy: 550µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+180.99 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXH30N60B3 IXYS

Description: IGBT PT 600V 60A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/97ns, Switching Energy: 550µJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 39 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A, Power - Max: 270 W.

Інші пропозиції IXXH30N60B3 за ціною від 202.54 грн до 536.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS IXXH30N60B3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+468.58 грн
3+391.93 грн
10+346.22 грн
30+310.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH30N60B3_Datasheet.PDF IGBTs TO247 600V 30A XPT
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+536.58 грн
10+354.23 грн
120+246.84 грн
510+202.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3-DTE.pdf
IXXH30N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+468.58 грн
3+391.93 грн
10+346.22 грн
30+310.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH30N60B3_Datasheet.PDF
IXXH30N60B3
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 600V 30A XPT
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+536.58 грн
10+354.23 грн
120+246.84 грн
510+202.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.