IXXH30N60B3D1 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 539.37 грн |
| 3+ | 366.26 грн |
| 7+ | 346.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH30N60B3D1 IXYS
Description: IGBT 600V 60A 270W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/97ns, Switching Energy: 550µJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 39 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A, Power - Max: 270 W.
Інші пропозиції IXXH30N60B3D1 за ціною від 307 грн до 677.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg "IXXH30N60B3D1") |
IXXH30N60B3D1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 600V 60A 270W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/97ns Switching Energy: 550µJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 39 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A Power - Max: 270 W |
на замовлення 1373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXXH30N60B3D1 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH30N60B3D1 - IGBT, 60 A, 1.66 V, 270 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XPT GenX3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXXH30N60B3D1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 270W Case: TO247AD Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 115A Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Turn-on time: 23ns Turn-off time: 125ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXXH30N60B3D1 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXXH30N60B3D1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXXH30N60B3D1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXXH30N60B3D1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |