Продукція > IXYS > IXXH30N60B3D1
IXXH30N60B3D1

IXXH30N60B3D1 IXYS

IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 115A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 39nC
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+495.93 грн
5+413.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXH30N60B3D1 IXYS

Description: IGBT PT 600V 60A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/97ns, Switching Energy: 550µJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 39 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A, Power - Max: 270 W.

Інші пропозиції IXXH30N60B3D1 за ціною від 215.64 грн до 595.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007912613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH30N60B3D1 - IGBT, 60 A, 1.66 V, 270 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
Verlustleistung: 270W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+537.40 грн
5+494.74 грн
10+452.08 грн
50+380.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS DS100334BIXXH30N60B3D1.pdf Description: IGBT PT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/97ns
Switching Energy: 550µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+567.26 грн
30+317.04 грн
120+266.68 грн
510+215.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH30N60B3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+595.66 грн
10+340.48 грн
120+248.25 грн
510+245.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 LFSI-S-A0007912613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH30N60B3D1 - IGBT, 60 A, 1.66 V, 270 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
Verlustleistung: 270W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+537.40 грн
5+494.74 грн
10+452.08 грн
50+380.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 DS100334BIXXH30N60B3D1.pdf
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/97ns
Switching Energy: 550µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+567.26 грн
30+317.04 грн
120+266.68 грн
510+215.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH30N60B3D1_Datasheet.PDF
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+595.66 грн
10+340.48 грн
120+248.25 грн
510+245.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.