Продукція > IXYS > IXXH30N60C3D1
IXXH30N60C3D1

IXXH30N60C3D1 IXYS


media-3320805.pdf Виробник: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT 30A
на замовлення 191 шт:

термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.34 грн
30+375.64 грн
120+286.18 грн
510+282.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXH30N60C3D1 IXYS

Description: IGBT PT 600V 60A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/77ns, Switching Energy: 500µJ (on), 270µJ (off), Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 37 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A, Power - Max: 270 W.

Інші пропозиції IXXH30N60C3D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 Виробник : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh30n60c3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 Виробник : IXYS IXXH30N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 37nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 166ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 Виробник : IXYS Description: IGBT PT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/77ns
Switching Energy: 500µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 270 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 Виробник : IXYS IXXH30N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 37nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 166ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.