IXXH30N65B4 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT PT 650V 65A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/170ns
Switching Energy: 1.55mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 146 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 482.32 грн |
| 30+ | 283.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH30N65B4 IXYS
Description: IGBT PT 650V 65A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/170ns, Switching Energy: 1.55mJ (on), 480µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 52 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 65 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 146 A, Power - Max: 230 W.
Інші пропозиції IXXH30N65B4 за ціною від 245.08 грн до 562.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXH30N65B4 | Виробник : IXYS |
IGBTs 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXXH30N65B4 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IXXH30N65B4 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 65ns Turn-off time: 206ns Pulsed collector current: 146A Collector current: 30A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IXXH30N65B4 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 65ns Turn-off time: 206ns Pulsed collector current: 146A Collector current: 30A |
товару немає в наявності |