Технічний опис IXXH30N65C4D1 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX4™; Trench; XPT™, Power dissipation: 230W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 47nC, Kind of package: tube, Collector-emitter voltage: 650V, Turn-on time: 65ns, Turn-off time: 161ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 30A, Pulsed collector current: 136A.
Інші пропозиції IXXH30N65C4D1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXH30N65C4D1 | Виробник : IXYS |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 47nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 65ns Turn-off time: 161ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 136A |
товару немає в наявності |