IXXH30N65C4D1 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 161ns
Pulsed collector current: 136A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH30N65C4D1 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX4™; Trench; XPT™, Power dissipation: 230W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 47nC, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector-emitter voltage: 650V, Turn-on time: 65ns, Turn-off time: 161ns, Pulsed collector current: 136A, Collector current: 30A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXXH30N65C4D1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXH30N65C4D1 | Виробник : IXYS |
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXXH30N65C4D1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 47nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 65ns Turn-off time: 161ns Pulsed collector current: 136A Collector current: 30A |
товару немає в наявності |