IXXH30N65C4D1 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 136A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 161ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate charge: 47nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH30N65C4D1 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Collector current: 30A, Pulsed collector current: 136A, Turn-on time: 65ns, Turn-off time: 161ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 230W, Case: TO247-3, Gate charge: 47nC, Technology: GenX4™; Trench; XPT™, Collector-emitter voltage: 650V, Gate-emitter voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXXH30N65C4D1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXH30N65C4D1 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD |
товар відсутній |
|
|
|
IXXH30N65C4D1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 30A Pulsed collector current: 136A Turn-on time: 65ns Turn-off time: 161ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Gate charge: 47nC Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V |
товар відсутній |