Продукція > IXYS > IXXH40N65B4
IXXH40N65B4

IXXH40N65B4 IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA96CA2990ED820&compId=IXXH40N65B4.pdf?ci_sign=770ad629ceb326de1e544cb3d65c8b03a36c72c3 Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 77 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+430.87 грн
3+360.01 грн
4+286.91 грн
9+271.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXH40N65B4 IXYS

Description: IGBT PT 650V 120A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/144ns, Switching Energy: 1.4mJ (on), 560µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 77 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 455 W.

Інші пропозиції IXXH40N65B4 за ціною від 237.70 грн до 517.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4 Виробник : IXYS media-3323064.pdf IGBTs 650V/120A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.17 грн
10+391.38 грн
30+288.26 грн
120+243.74 грн
270+237.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA96CA2990ED820&compId=IXXH40N65B4.pdf?ci_sign=770ad629ceb326de1e544cb3d65c8b03a36c72c3 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+517.05 грн
3+448.63 грн
4+344.29 грн
9+325.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixxh40n65b4-datasheet?assetguid=cdfdc92b-2f9a-4753-947c-46c7022391f6 Description: IGBT PT 650V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/144ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 455 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.