Продукція > IXYS > IXXH40N65B4D1
IXXH40N65B4D1

IXXH40N65B4D1 IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA96F577F355820&compId=IXXH40N65B4D1.pdf?ci_sign=4b16939ad77a5f052b6f636ad7b9f86dea9dc600 Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXH40N65B4D1 IXYS

Description: IGBT 650V 115A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Td (on/off) @ 25°C: 20ns/115ns, Switching Energy: 1.4mJ (on), 800µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 66 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 115 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 455 W.

Інші пропозиції IXXH40N65B4D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXXH40N65B4D1 IXXH40N65B4D1 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh40n65b4d1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 650V 115A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/115ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1 IXXH40N65B4D1 Виробник : IXYS media-3323403.pdf IGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1 IXXH40N65B4D1 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA96F577F355820&compId=IXXH40N65B4D1.pdf?ci_sign=4b16939ad77a5f052b6f636ad7b9f86dea9dc600 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.