Продукція > IXYS > IXXH40N65C4D1

IXXH40N65C4D1 IXYS

Name: IXXH40N65C4D1
Brand: IXYS
SKU: 459857845-1
Price: 675.78 UAH
Availability: BackOrder

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE5897875C79820&compId=IXXH40N65C4D1.pdf?ci_sign=e5472dd029b3deb15e95cd70a2d8eee474e6704d

Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 215A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXXH40N65C4D1 IXYS

Description: IGBT PT 650V 110A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 62 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/100ns, Switching Energy: 1.6mJ (on), 420µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 68 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 215 A, Power - Max: 455 W.

Інші пропозиції IXXH40N65C4D1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXXH40N65C4D1	Виробник : IXYS	Description: IGBT PT 650V 110A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 20ns/100ns Switching Energy: 1.6mJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 68 nC Current - Collector (Ic) (Max): 110 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 215 A Power - Max: 455 W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXXH40N65C4D1	Виробник : IXYS	IGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXXH40N65C4D1	Виробник : IXYS	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 455W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 215A Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube Turn-on time: 71ns Turn-off time: 142ns Technology: GenX4™; Trench; XPT™	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.