Продукція > IXYS > IXXH50N60B3
IXXH50N60B3

IXXH50N60B3 IXYS


media-3319329.pdf Виробник: IXYS
IGBT Transistors GenX3 600V XPT IGBTs
на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+829.76 грн
10+ 720.64 грн
30+ 609.33 грн
60+ 575.37 грн
120+ 542.07 грн
510+ 529.42 грн
1020+ 514.1 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXH50N60B3 IXYS

Description: IGBT 600V 120A 600W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns, Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off), Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 600 W.

Інші пропозиції IXXH50N60B3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 Виробник : IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0584ed69-861c-477c-9ed3-244c01c8d170&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_50n60b3_datasheet.pdf Description: IGBT 600V 120A 600W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
товар відсутній
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 Виробник : IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
товар відсутній