
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1038.21 грн |
10+ | 901.57 грн |
30+ | 640.01 грн |
510+ | 627.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH50N60B3D1 IXYS
Description: IGBT PT 600V 120A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns, Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off), Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 600 W.
Інші пропозиції IXXH50N60B3D1 за ціною від 538.84 грн до 1060.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXXH50N60B3D1 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off) Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 600 W |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXXH50N60B3D1 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXXH50N60B3D1 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXXH50N60B3D1 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXXH50N60B3D1 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 600W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-off time: 320ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 75ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXXH50N60B3D1 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 600W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-off time: 320ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 75ns |
товару немає в наявності |