Продукція > IXYS > IXXH60N65B4
IXXH60N65B4

IXXH60N65B4 IXYS

IXXH60N65B4.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 536W
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 265A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 94ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+526.19 грн
3+448.72 грн
5+421.30 грн
10+378.09 грн
30+345.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXH60N65B4 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXXH60N65B4 - IGBT, 145 A, 1.8 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 536W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 145A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XPT GenX4 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IXXH60N65B4 за ціною від 233.17 грн до 608.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 IXYS littelfusediscreteigbtsxptixxh60n65b4datashee.pdf Description: IGBT PT 650V 116A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns
Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.10 грн
30+341.28 грн
120+287.71 грн
510+233.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH60N65B4_Datasheet.PDF IGBTs 650V/116A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 LITTELFUSE littelfusediscreteigbtsxptixxh60n65b4datashee.pdf Description: LITTELFUSE - IXXH60N65B4 - IGBT, 145 A, 1.8 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 145A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 Littelfuse littelfusediscreteigbtsxptixxh60n65b4datashee.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 145A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 littelfusediscreteigbtsxptixxh60n65b4datashee.pdf
IXXH60N65B4
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 116A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns
Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+608.10 грн
30+341.28 грн
120+287.71 грн
510+233.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH60N65B4_Datasheet.PDF
IXXH60N65B4
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/116A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 littelfusediscreteigbtsxptixxh60n65b4datashee.pdf
IXXH60N65B4
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXXH60N65B4 - IGBT, 145 A, 1.8 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 145A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 littelfusediscreteigbtsxptixxh60n65b4datashee.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 650V 145A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+340.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.