на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 257.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH60N65B4 IXYS
Description: IGBT PT 650V 116A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns, Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 116 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A, Power - Max: 455 W.
Інші пропозиції IXXH60N65B4 за ціною від 192.41 грн до 594.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXH60N65B4 | Виробник : IXYS |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 536W Collector current: 60A Pulsed collector current: 265A Collector-emitter voltage: 650V Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Gate charge: 86nC Turn-on time: 94ns Turn-off time: 208ns |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXXH60N65B4 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PT 650V 116A TO-247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 116 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A Power - Max: 455 W |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXXH60N65B4 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 536W Collector current: 60A Pulsed collector current: 265A Collector-emitter voltage: 650V Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Gate charge: 86nC Turn-on time: 94ns Turn-off time: 208ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 181 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|