Продукція > IXYS > IXXH60N65B4H1
IXXH60N65B4H1

IXXH60N65B4H1 IXYS

IXXH60N65B4H1.pdf Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+858.35 грн
2+ 588.94 грн
3+ 588.24 грн
4+ 556.33 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXH60N65B4H1 IXYS

Description: IGBT 650V 116A 380W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns, Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 116 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A, Power - Max: 380 W.

Інші пропозиції IXXH60N65B4H1 за ціною від 636.27 грн до 1030.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh60n65b4h1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 650V 116A 380W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns
Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 380 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+867.32 грн
30+ 676.04 грн
120+ 636.27 грн
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 Виробник : IXYS media-3320268.pdf IGBT Transistors 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+961.83 грн
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 Виробник : IXYS IXXH60N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1030.02 грн
2+ 733.91 грн
3+ 705.89 грн
4+ 667.6 грн
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 Виробник : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh60n65b4h1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній