Продукція > IXYS > IXXH60N65B4H1
IXXH60N65B4H1

IXXH60N65B4H1 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA41BE37C998BF&compId=IXXH60N65B4H1.pdf?ci_sign=3218f9ada32bbb51384480c616296b03ed0d41c5 Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+922.21 грн
3+778.49 грн
10+685.70 грн
30+615.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXH60N65B4H1 IXYS

Description: IGBT PT 650V 116A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns, Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 116 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A, Power - Max: 380 W.

Інші пропозиції IXXH60N65B4H1 за ціною від 500.50 грн до 1106.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixxh60n65b4h1-datasheet?assetguid=3de83c42-63bf-4736-b1ff-7b83c15e7a8f Description: IGBT PT 650V 116A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns
Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 380 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+933.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH60N65B4H1_Datasheet.PDF IGBTs 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+933.56 грн
10+610.30 грн
120+500.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA41BE37C998BF&compId=IXXH60N65B4H1.pdf?ci_sign=3218f9ada32bbb51384480c616296b03ed0d41c5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1106.65 грн
3+970.11 грн
10+822.84 грн
30+738.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 Виробник : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh60n65b4h1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 Виробник : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh60n65b4h1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.