
IXXH60N65B4H1 IXYS

Description: IGBT PT 650V 116A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns
Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 380 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 843.11 грн |
30+ | 488.36 грн |
120+ | 417.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH60N65B4H1 IXYS
Description: IGBT PT 650V 116A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns, Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 116 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A, Power - Max: 380 W.
Інші пропозиції IXXH60N65B4H1 за ціною від 460.89 грн до 1135.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXXH60N65B4H1 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 60A Pulsed collector current: 265A Turn-on time: 94ns Turn-off time: 208ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 536W Kind of package: tube Gate charge: 86nC Technology: GenX4™; Trench; XPT™ |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXXH60N65B4H1 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXXH60N65B4H1 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 60A Pulsed collector current: 265A Turn-on time: 94ns Turn-off time: 208ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 536W Kind of package: tube Gate charge: 86nC Technology: GenX4™; Trench; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXXH60N65B4H1 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
IXXH60N65B4H1 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |