Продукція > IXYS > IXXH60N65B4H1
IXXH60N65B4H1

IXXH60N65B4H1 IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixxh60n65b4h1-datasheet?assetguid=3de83c42-63bf-4736-b1ff-7b83c15e7a8f
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 116A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns
Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 380 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1100.49 грн
30+648.30 грн
120+558.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXH60N65B4H1 IXYS

Description: IGBT PT 650V 116A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns, Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 116 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A, Power - Max: 380 W.

Інші пропозиції IXXH60N65B4H1 за ціною від 626.55 грн до 1106.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 IXYS IXXH60N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1106.97 грн
3+650.65 грн
30+626.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH60N65B4H1_Datasheet.PDF IGBTs 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1.pdf
IXXH60N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1106.97 грн
3+650.65 грн
30+626.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH60N65B4H1_Datasheet.PDF
IXXH60N65B4H1
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.