на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 725.34 грн |
| 10+ | 476.36 грн |
| 120+ | 353.42 грн |
| 510+ | 326.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH75N60B3D1 IXYS
Description: IGBT PT 600V 160A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/118ns, Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.5mJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 107 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 750 W.
Інші пропозиції IXXH75N60B3D1 за ціною від 384.09 грн до 793.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXH75N60B3D1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PT 600V 160A TO-247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 35ns/118ns Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.5mJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 107 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 750 W |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXXH75N60B3D1 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 750000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXXH75N60B3D1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 750W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXXH75N60B3D1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 750W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 108ns Turn-off time: 315ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A |
товару немає в наявності |