Продукція > IXYS > IXXH80N65B4H1
IXXH80N65B4H1

IXXH80N65B4H1 IXYS

ds100528c%28ixxh80n65b4h1%29.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/120ns
Switching Energy: 3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1043.80 грн
30+615.42 грн
120+530.04 грн
510+461.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXH80N65B4H1 IXYS

Description: IGBT PT 650V 160A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/120ns, Switching Energy: 3.77mJ (on), 1.2mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A, Power - Max: 625 W.

Інші пропозиції IXXH80N65B4H1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXXH80N65B4H1 IXXH80N65B4H1 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007912279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH80N65B4H1 - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1 LFSI-S-A0007912279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXXH80N65B4H1
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH80N65B4H1 - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.