Продукція > IXYS > IXXK100N60B3H1

IXXK100N60B3H1 IXYS

Name: IXXK100N60B3H1
Brand: IXYS
SKU: 2529253-3
Price: 1606.51 UAH
Availability: InStock

Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Power - Max: 695 W

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	1606.51 грн
25+	1050.23 грн
100+	1029.93 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXXK100N60B3H1 IXYS

Description: IGBT PT 600V 200A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A, Supplier Device Package: TO-264 (IXXK), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns, Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off), Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 143 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A, Power - Max: 695 W.

Інші пропозиції IXXK100N60B3H1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXXK100N60B3H1	Виробник : Littelfuse	Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 695000mW 3-Pin TO-264	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXXK100N60B3H1	Виробник : IXYS	IGBTs XPT IGBT B3-Class 600V/190Amp CoPacked	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXXK100N60B3H1	Виробник : IXYS	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 695W; TO264 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 695W Case: TO264 Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 370A Collector-emitter voltage: 600V Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 92ns Turn-off time: 350ns	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.