Продукція > IXYS > IXXK110N65B4H1
IXXK110N65B4H1

IXXK110N65B4H1 IXYS


IXX_110N65B4H1.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1595.35 грн
3+1406.06 грн
5+1302.78 грн
10+1087.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXK110N65B4H1 IXYS

Description: IGBT PT 650V 240A TO-264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A, Supplier Device Package: TO-264 (IXXK), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns, Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off), Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 183 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A, Power - Max: 880 W.

Інші пропозиції IXXK110N65B4H1 за ціною від 1074.95 грн до 1929.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_110n65b4h1_datasheet.pdf IGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1877.22 грн
10+1346.56 грн
100+1167.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixx-110n65b4h1-datasheet?assetguid=f2444f1a-72a7-4cd6-9d41-c399cd2e0f6d Description: IGBT PT 650V 240A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1929.65 грн
25+1222.30 грн
100+1074.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_110n65b4h1_datasheet.pdf
IXXK110N65B4H1
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1877.22 грн
10+1346.56 грн
100+1167.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 littelfuse-discrete-igbts-ixx-110n65b4h1-datasheet?assetguid=f2444f1a-72a7-4cd6-9d41-c399cd2e0f6d
IXXK110N65B4H1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 240A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1929.65 грн
25+1222.30 грн
100+1074.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.