IXXK110N65B4H1 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 250ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Pulsed collector current: 570A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1291.94 грн |
| 3+ | 1134.29 грн |
| 100+ | 1090.99 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXK110N65B4H1 IXYS
Description: IGBT PT 650V 240A TO-264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A, Supplier Device Package: TO-264 (IXXK), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns, Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off), Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 183 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A, Power - Max: 880 W.
Інші пропозиції IXXK110N65B4H1 за ціною від 1126.09 грн до 2126.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXXK110N65B4H1 | IXYS |
Description: IGBT PT 650V 240A TO-264Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A Supplier Device Package: TO-264 (IXXK) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off) Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V Gate Charge: 183 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 240 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A Power - Max: 880 W |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IXXK110N65B4H1 | IXYS |
IGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
на замовлення 261 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||
|
IXXK110N65B4H1 | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXXK110N65B4H1 - IGBT, 250 A, 1.72 V, 880 W, 650 V, TO-264, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.72V Verlustleistung: 880W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-264 Dauerkollektorstrom: 250A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXXK110N65B4H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 240A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A
Power - Max: 880 W
Description: IGBT PT 650V 240A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2021.85 грн |
| 25+ | 1280.44 грн |
| 100+ | 1126.09 грн |
| IXXK110N65B4H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 261 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2126.80 грн |
| 10+ | 1436.25 грн |
| IXXK110N65B4H1 |
![]() |
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXXK110N65B4H1 - IGBT, 250 A, 1.72 V, 880 W, 650 V, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.72V
Verlustleistung: 880W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 250A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: LITTELFUSE - IXXK110N65B4H1 - IGBT, 250 A, 1.72 V, 880 W, 650 V, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.72V
Verlustleistung: 880W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 250A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





