на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1818.78 грн |
| 10+ | 1653.42 грн |
| 25+ | 1345.86 грн |
| 100+ | 1295.24 грн |
| 250+ | 1269.94 грн |
| 500+ | 1238.64 грн |
| 1000+ | 1120.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXK200N65B4 IXYS
Description: IGBT 650V 370A 1150W TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A, Supplier Device Package: TO-264 (IXXK), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns, Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 553 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 370 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A, Power - Max: 1150 W.
Інші пропозиції IXXK200N65B4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXK200N65B4 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|
 |
IXXK200N65B4 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 200A; 1.63kW; TO264 Mounting: THT Gate charge: 517nC Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Pulsed collector current: 1kA Type of transistor: IGBT Turn-on time: 135ns Kind of package: tube Case: TO264 Turn-off time: 370ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Collector-emitter voltage: 650V Power dissipation: 1.63kW кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXXK200N65B4 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 650V 370A 1150W TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A Supplier Device Package: TO-264 (IXXK) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V Gate Charge: 553 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 370 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A Power - Max: 1150 W |
товар відсутній |
|
|
|
IXXK200N65B4 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 200A; 1.63kW; TO264 Mounting: THT Gate charge: 517nC Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Pulsed collector current: 1kA Type of transistor: IGBT Turn-on time: 135ns Kind of package: tube Case: TO264 Turn-off time: 370ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Collector-emitter voltage: 650V Power dissipation: 1.63kW |
товар відсутній |