на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2622.9 грн |
| 10+ | 2303.6 грн |
| 20+ | 1883.93 грн |
| 50+ | 1820.67 грн |
| 100+ | 1758.07 грн |
| 500+ | 1616.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXN100N60B3H1 IXYS
Description: IGBT MOD 600V 170A 500W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, IGBT Type: PT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 170 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.86 nF @ 25 V.
Інші пропозиції IXXN100N60B3H1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXN100N60B3H1 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Module N-CH 600V |
товар відсутній |
|
 |
IXXN100N60B3H1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W Technology: GenX3™; XPT™ Collector current: 98A Power dissipation: 500W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 440A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXXN100N60B3H1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MOD 600V 170A 500W SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 170 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 500 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.86 nF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXXN100N60B3H1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W Technology: GenX3™; XPT™ Collector current: 98A Power dissipation: 500W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 440A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
товар відсутній |