Продукція > IXYS > IXXN100N60B3H1
IXXN100N60B3H1

IXXN100N60B3H1 IXYS

DS100421BIXXN100N60B3H1.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 600V 170A 500W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.86 nF @ 25 V
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2563.81 грн
10+1826.77 грн
100+1521.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXN100N60B3H1 IXYS

Description: IGBT MOD 600V 170A 500W SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, IGBT Type: PT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 170 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.86 nF @ 25 V.

Інші пропозиції IXXN100N60B3H1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXXN100N60B3H1 IXXN100N60B3H1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXN100N60B3H1_Datasheet.PDF IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 w/Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1 IXXN100N60B3H1 IXYS IXXN100N60B3H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 440A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1 Littelfuse DS100421BIXXN100N60B3H1.pdf Trans IGBT Module N-CH 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXN100N60B3H1_Datasheet.PDF
IXXN100N60B3H1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 w/Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1 IXXN100N60B3H1.pdf
IXXN100N60B3H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 440A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1 DS100421BIXXN100N60B3H1.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Module N-CH 600V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.