IXXN110N65B4H1 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 215 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.65 nF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2107.30 грн |
| 10+ | 1488.17 грн |
| 100+ | 1277.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXN110N65B4H1 IXYS
Description: IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, IGBT Type: PT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 215 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 750 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.65 nF @ 25 V.
Інші пропозиції IXXN110N65B4H1 за ціною від 1286.78 грн до 2170.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXN110N65B4H1 | Виробник : IXYS |
IGBT Modules 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXXN110N65B4H1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750000mW 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXXN110N65B4H1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B Technology: GenX4™; XPT™ Power dissipation: 750W Case: SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 110A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 650A Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor |
товару немає в наявності |