Продукція > IXYS > IXXN110N65B4H1
IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4H1 IXYS

media?resourcetype=datasheets&itemid=87035E78-77A2-4EC9-9906-C38392CBBE03&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXN110N65B4H1-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 650V 215A 750W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 215 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.65 nF @ 25 V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2503.51 грн
10+1815.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXN110N65B4H1 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXXN110N65B4H1 - IGBT, MODULE, 650V, 230A, SOT-227B, tariffCode: 0, Transistormontage: Panel, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.72V, IGBT-Anschluss: Stud, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.72V, Verlustleistung Pd: 750W, Verlustleistung: 750W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 230A, Produktpalette: XPT GenX4 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Single, productTraceability: No, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 230A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції IXXN110N65B4H1 за ціною від 1629.61 грн до 2659.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXXN110N65B4H1 IXXN110N65B4H1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=87035E78-77A2-4EC9-9906-C38392CBBE03&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXN110N65B4H1-Datasheet.PDF IGBT Modules 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 145 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+2659.59 грн
10+1990.86 грн
100+1657.45 грн
500+1629.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1 IXXN110N65B4H1 LITTELFUSE LFSI-S-A0009972229-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXXN110N65B4H1 - IGBT, MODULE, 650V, 230A, SOT-227B
tariffCode: 0
Transistormontage: Panel
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.72V
IGBT-Anschluss: Stud
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.72V
Verlustleistung Pd: 750W
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 230A
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Single
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1 media?resourcetype=datasheets&itemid=87035E78-77A2-4EC9-9906-C38392CBBE03&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXN110N65B4H1-Datasheet.PDF
IXXN110N65B4H1
Виробник: IXYS
IGBT Modules 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 145 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2659.59 грн
10+1990.86 грн
100+1657.45 грн
500+1629.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1 LFSI-S-A0009972229-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXXN110N65B4H1
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXXN110N65B4H1 - IGBT, MODULE, 650V, 230A, SOT-227B
tariffCode: 0
Transistormontage: Panel
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.72V
IGBT-Anschluss: Stud
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.72V
Verlustleistung Pd: 750W
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 230A
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Single
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.