на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2328.44 грн |
| 10+ | 1999.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXN110N65B4H1 IXYS
Description: IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, IGBT Type: PT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 215 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 750 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.65 nF @ 25 V.
Інші пропозиції IXXN110N65B4H1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXN110N65B4H1 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750000mW 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|
 |
IXXN110N65B4H1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B Technology: GenX4™; XPT™ Collector current: 110A Power dissipation: 750W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 650A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXXN110N65B4H1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 215 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 750 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.65 nF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXXN110N65B4H1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B Technology: GenX4™; XPT™ Collector current: 110A Power dissipation: 750W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 650A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
товар відсутній |