Продукція > IXYS > IXXN110N65C4H1

IXXN110N65C4H1 IXYS


Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXN110N65C4H1-Datasheet.PDF?assetguid=D57B89E1-FC96-4AFA-B6E3-35B07F2CB2AF
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 650V 210A 750W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.69 nF @ 25 V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2361.14 грн
10+1679.86 грн
100+1392.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXN110N65C4H1 IXYS

Description: IGBT MOD 650V 210A 750W SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, IGBT Type: PT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 210 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 750 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.69 nF @ 25 V.

Інші пропозиції IXXN110N65C4H1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXXN110N65C4H1 IXXN110N65C4H1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXN110N65C4H1_Datasheet.PDF IGBT Modules 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXN110N65C4H1_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IGBT Modules 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.