Продукція > IXYS > IXXN110N65C4H1

IXXN110N65C4H1 IXYS


Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXN110N65C4H1-Datasheet.PDF?assetguid=D57B89E1-FC96-4AFA-B6E3-35B07F2CB2AF
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 650V 210A 750W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.69 nF @ 25 V
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2440.18 грн
10+1736.33 грн
100+1439.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXN110N65C4H1 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXXN110N65C4H1 - TRANSISTOR, IGBT, 650V, 210A, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Panel, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06V, IGBT-Anschluss: Tab, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.06V, Verlustleistung Pd: 750W, Verlustleistung: 750W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 210A, Produktpalette: XPT GenX4 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Single, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 210A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції IXXN110N65C4H1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXXN110N65C4H1 IXXN110N65C4H1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXN110N65C4H1_Datasheet.PDF IGBT Modules 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1 IXXN110N65C4H1 LITTELFUSE LFSI-S-A0007912801-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXXN110N65C4H1 - TRANSISTOR, IGBT, 650V, 210A, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06V
IGBT-Anschluss: Tab
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.06V
Verlustleistung Pd: 750W
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 210A
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Single
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 210A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXN110N65C4H1_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IGBT Modules 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1 LFSI-S-A0007912801-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXXN110N65C4H1 - TRANSISTOR, IGBT, 650V, 210A, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06V
IGBT-Anschluss: Tab
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.06V
Verlustleistung Pd: 750W
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 210A
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Single
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 210A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.