IXXN110N65C4H1 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.69 nF @ 25 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2119.21 грн |
| 10+ | 1494.36 грн |
| 100+ | 1275.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXN110N65C4H1 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXXN110N65C4H1 - TRANSISTOR, IGBT, 650V, 210A, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Panel, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06V, Dauer-Kollektorstrom: 210A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Tab, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.06V, Verlustleistung Pd: 750W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: XPT GenX4 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Single, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 210A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IXXN110N65C4H1 за ціною від 1296.45 грн до 2419.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXN110N65C4H1 | Виробник : IXYS |
IGBT Modules 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXXN110N65C4H1 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXXN110N65C4H1 - TRANSISTOR, IGBT, 650V, 210A, SOT-227B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Panel rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06V Dauer-Kollektorstrom: 210A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Tab Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.06V Verlustleistung Pd: 750W euEccn: NLR Verlustleistung: 750W Bauform - Transistor: SOT-227B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: XPT GenX4 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Single productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 210A Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXXN110N65C4H1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750000mW 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXXN110N65C4H1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 750W Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 110A Pulsed collector current: 470A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IXXN110N65C4H1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 750W Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 110A Pulsed collector current: 470A |
товару немає в наявності |