Продукція > IXYS > IXXR110N65B4H1
IXXR110N65B4H1

IXXR110N65B4H1 IXYS


Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 150A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1514.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXR110N65B4H1 IXYS

Description: IGBT PT 650V 150A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 110A, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns, Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off), Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 183 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A, Power - Max: 455 W.

Інші пропозиції IXXR110N65B4H1 за ціною від 1472.76 грн до 1765.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1 Виробник : IXYS media-3320866.pdf IGBTs 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1765.84 грн
30+1472.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA2540B7AF3820&compId=IXXR110N65B4H1.pdf?ci_sign=5890856bd86011b903242c6fef3c7868545f561d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 490A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA2540B7AF3820&compId=IXXR110N65B4H1.pdf?ci_sign=5890856bd86011b903242c6fef3c7868545f561d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 490A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.