| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2322.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXR110N65B4H1 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 455W, Case: PLUS247™, Mounting: THT, Gate charge: 183nC, Turn-on time: 65ns, Kind of package: tube, Turn-off time: 250ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 70A, Collector-emitter voltage: 650V, Technology: GenX4™; Trench; XPT™, Pulsed collector current: 490A.
Інші пропозиції IXXR110N65B4H1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXR110N65B4H1 | IXYS |
 IGBTs 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXXR110N65B4H1 |
|
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IGBTs 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)