Продукція > IXYS > IXXX100N60B3H1

IXXX100N60B3H1 IXYS


littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60b3h1_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
IXXX100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXX100N60B3H1 IXYS

Description: IGBT 600V 200A 695W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns, Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off), Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 143 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A, Power - Max: 695 W.

Інші пропозиції IXXX100N60B3H1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXXX100N60B3H1 IXXX100N60B3H1 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60b3h1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 600V 200A 695W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Power - Max: 695 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60B3H1 IXXX100N60B3H1 Виробник : IXYS media-3323248.pdf IGBTs PLUS247 600V 100A DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.