на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1596.99 грн |
| 10+ | 1386.74 грн |
| 30+ | 839.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXX110N65B4H1 IXYS
Description: IGBT PT 650V 240A PLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns, Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off), Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 183 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A, Power - Max: 880 W.
Інші пропозиції IXXX110N65B4H1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXX110N65B4H1 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXXX110N65B4H1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 880W Case: PLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 183nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 110A Pulsed collector current: 570A Turn-on time: 65ns Turn-off time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXXX110N65B4H1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PT 650V 240A PLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A Supplier Device Package: PLUS247™-3 IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off) Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V Gate Charge: 183 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 240 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A Power - Max: 880 W |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXXX110N65B4H1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 880W Case: PLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 183nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 110A Pulsed collector current: 570A Turn-on time: 65ns Turn-off time: 250ns |
товару немає в наявності |