Продукція > IXYS > IXXX110N65B4H1
IXXX110N65B4H1

IXXX110N65B4H1 IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixx-110n65b4h1-datasheet?assetguid=f2444f1a-72a7-4cd6-9d41-c399cd2e0f6d
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 240A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1662.95 грн
30+1021.88 грн
120+895.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXX110N65B4H1 IXYS

Description: IGBT PT 650V 240A PLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns, Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off), Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 183 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A, Power - Max: 880 W.

Інші пропозиції IXXX110N65B4H1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXXX110N65B4H1 IXXX110N65B4H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_110n65b4h1_datasheet.pdf IGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1 IXXX110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_110n65b4h1_datasheet.pdf
IXXX110N65B4H1
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXX110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.