IXXX200N60B3

IXXX200N60B3 Littelfuse


littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 600V 380A 1630000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXX200N60B3 Littelfuse

Description: IGBT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Td (on/off) @ 25°C: 48ns/160ns, Switching Energy: 2.85mJ (on), 4.4mJ (off), Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 315 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 380 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A, Power - Max: 1630 W.

Інші пропозиції IXXX200N60B3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXXX200N60B3 IXXX200N60B3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE3A751202E3820&compId=IXXK(X)200N60B3.pdf?ci_sign=d705925bcf61076f18de95760155dec82ea13f8e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 200A; 1.63kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 200A
Power dissipation: 1.63kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 900A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 395ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60B3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/160ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 4.4mJ (off)
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 380 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Power - Max: 1630 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60B3 IXXX200N60B3 Виробник : IXYS media-3322423.pdf IGBTs PLUS247 600V 200A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60B3 IXXX200N60B3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE3A751202E3820&compId=IXXK(X)200N60B3.pdf?ci_sign=d705925bcf61076f18de95760155dec82ea13f8e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 200A; 1.63kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 200A
Power dissipation: 1.63kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 900A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 395ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.