Продукція > IXYS > IXXX200N65B4

IXXX200N65B4 IXYS


littelfuse-discrete-igbts-ixxx200n65b4-datasheet?assetguid=da9236d0-556d-429e-a7cb-bc5ea6265537
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 370A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 553 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2571.14 грн
30+1662.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXX200N65B4 IXYS

Description: IGBT PT 650V 370A PLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns, Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 553 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 370 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A, Power - Max: 1150 W.

Інші пропозиції IXXX200N65B4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXXX200N65B4 IXXX200N65B4 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXX200N65B4_Datasheet.PDF IGBTs 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXX200N65B4_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.