на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1699.13 грн |
| 10+ | 1544.67 грн |
| 30+ | 1282.59 грн |
| 120+ | 1146.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXX200N65B4 IXYS
Description: IGBT 650V 370A 1150W PLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns, Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 553 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 370 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A, Power - Max: 1150 W.
Інші пропозиції IXXX200N65B4 за ціною від 1042.3 грн до 1738.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg "IXXX200N65B4") |
IXXX200N65B4 | Виробник : IXYS |
 Description: IGBT 650V 370A 1150W PLUS247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A Supplier Device Package: PLUS247™-3 IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V Gate Charge: 553 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 370 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A Power - Max: 1150 W |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXXX200N65B4 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXXX200N65B4 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 200A; 1.63kW; PLUS247™ Case: PLUS247™ Mounting: THT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 1kA Turn-on time: 135ns Turn-off time: 370ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 1.63kW Kind of package: tube Gate charge: 517nC Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXXX200N65B4 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 200A; 1.63kW; PLUS247™ Case: PLUS247™ Mounting: THT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 1kA Turn-on time: 135ns Turn-off time: 370ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 1.63kW Kind of package: tube Gate charge: 517nC Collector-emitter voltage: 650V |
товар відсутній |