Продукція > IXYS > IXXX200N65B4
IXXX200N65B4

IXXX200N65B4 IXYS

littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 553 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1970.50 грн
30+1573.17 грн
120+1474.85 грн
510+1181.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXXX200N65B4 IXYS

Description: IGBT 650V 370A 1150W PLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns, Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 553 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 370 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A, Power - Max: 1150 W.

Інші пропозиції IXXX200N65B4 за ціною від 2190.62 грн до 3024.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXXX200N65B4 IXXX200N65B4 Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007912646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXXX200N65B4 - IGBT, 480 A, 1.5 V, 1.63 kW, 650 V, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.63kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 480A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2812.96 грн
5+2585.25 грн
10+2357.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4 IXXX200N65B4 Виробник : IXYS media-3323144.pdf IGBTs 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3024.96 грн
10+2783.02 грн
30+2190.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4 IXXX200N65B4 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxk200n65b4_datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf IXXX200N65B4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.