IXYA15N65C3D1 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 168.18 грн |
| 7+ | 133.44 грн |
| 20+ | 126.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYA15N65C3D1 IXYS
Description: IGBT PT 650V 38A TO-263AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 20 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-263AA, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns, Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 19 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 38 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 200 W.
Інші пропозиції IXYA15N65C3D1 за ціною від 151.60 грн до 240.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXYA15N65C3D1 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Turn-off time: 102ns Turn-on time: 36ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 209 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXYA15N65C3D1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PT 650V 38A TO-263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 20 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-263AA IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 38 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 200 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXYA15N65C3D1 | Виробник : IXYS |
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2 |
товару немає в наявності |