Продукція > IXYS > IXYA15N65C3D1
IXYA15N65C3D1

IXYA15N65C3D1 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 19nC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Power dissipation: 200W
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.84 грн
10+139.18 грн
50+125.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYA15N65C3D1 IXYS

Description: IGBT PT 650V 38A TO-263AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 20 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-263AA, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns, Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 19 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 38 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 200 W.

Інші пропозиції IXYA15N65C3D1 за ціною від 150.98 грн до 226.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 19nC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Power dissipation: 200W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.61 грн
3+197.94 грн
10+167.02 грн
50+150.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-15n65c3d1-datasheet?assetguid=826cf8c2-e29d-42d1-8a6c-1cda01989fba Description: IGBT PT 650V 38A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_15N65C3D1_Datasheet.PDF IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.