Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IXYA15N65C3D1 за ціною від 136.72 грн до 271.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXYA15N65C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 15A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 102ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
| IXYA15N65C3D1 | Ixys Corporation |
IXYA15N65C3D1 |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IXYA15N65C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 176.03 грн |
| 7+ | 144.41 грн |
| 19+ | 136.72 грн |
| IXYA15N65C3D1 |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
IXYA15N65C3D1
IXYA15N65C3D1
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 271.06 грн |
| 61+ | 244.91 грн |



