IXYA20N120C4HV IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 68A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/160ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 960mV, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 375 W
Description: IGBT PT 1200V 68A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/160ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 960mV, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 690.54 грн |
| 50+ | 365.64 грн |
| 100+ | 336.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYA20N120C4HV IXYS
Description: IGBT PT 1200V 68A TO-263HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-263HV, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 14ns/160ns, Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 960mV, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 44 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 68 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції IXYA20N120C4HV за ціною від 342.52 грн до 808.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYA20N120C4HV | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYA20N120C4HV - IGBT, 68 A, 2.5 V, 375 W, 1.2 kV, TO-263HV, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263HV Dauerkollektorstrom: 68A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XPT GenX4 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXYA20N120C4HV | Виробник : IXYS |
IGBTs TO263 1200V 20A XPT |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXYA20N120C4HV | Виробник : Littelfuse |
1200V IGBT Chip Transistor |
товару немає в наявності |