Продукція > IXYS > IXYA20N120C4HV
IXYA20N120C4HV

IXYA20N120C4HV IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120c4-datasheet?assetguid=3c16feb5-2ff7-4546-a254-e439f5e43f0d
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 68A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263HV
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/160ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 960mV, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+719.83 грн
50+387.71 грн
100+358.29 грн
500+306.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYA20N120C4HV IXYS

Description: IGBT PT 1200V 68A TO-263HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-263HV, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 14ns/160ns, Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 960mV, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 44 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 68 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 375 W.

Інші пропозиції IXYA20N120C4HV

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXYA20N120C4HV IXYA20N120C4HV IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_20N120C4_Datasheet.PDF IGBTs TO263 1200V 20A XPT
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HV IXYA20N120C4HV IXYS SEMICONDUCTOR 3099154.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYA20N120C4HV - IGBT, 68 A, 2.5 V, 375 W, 1.2 kV, TO-263HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Dauerkollektorstrom: 68A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HV Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_20N120C4_Datasheet.PDF
IXYA20N120C4HV
Виробник: IXYS
IGBTs TO263 1200V 20A XPT
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HV 3099154.pdf
IXYA20N120C4HV
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYA20N120C4HV - IGBT, 68 A, 2.5 V, 375 W, 1.2 kV, TO-263HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Dauerkollektorstrom: 68A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.