IXYA20N65C3D1 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 251.75 грн |
| 3+ | 210.19 грн |
| 5+ | 167.87 грн |
| 14+ | 158.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYA20N65C3D1 IXYS
Description: IGBT 650V 50A TO263AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-263AA, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns, Switching Energy: 430µJ (on), 650µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 30 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Power - Max: 200 W.
Інші пропозиції IXYA20N65C3D1 за ціною від 190.62 грн до 311.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXYA20N65C3D1 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: tube Turn-on time: 51ns Turn-off time: 132ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXYA20N65C3D1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 650V 50A TO263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-263AA Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns Switching Energy: 430µJ (on), 650µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 30 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 200 W |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXYA20N65C3D1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-263AA |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXYA20N65C3D1 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2 |
товар відсутній |