Продукція > IXYS > IXYA20N65C3D1
IXYA20N65C3D1

IXYA20N65C3D1 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.12 грн
3+232.20 грн
5+185.45 грн
14+174.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYA20N65C3D1 IXYS

Description: IGBT 650V 50A TO-263AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-263AA, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns, Switching Energy: 430µJ (on), 650µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 30 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Power - Max: 200 W.

Інші пропозиції IXYA20N65C3D1 за ціною від 209.67 грн до 432.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYA20N65C3D1 IXYA20N65C3D1 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.74 грн
3+289.36 грн
5+222.54 грн
14+209.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1 IXYA20N65C3D1 Виробник : IXYS Description: IGBT 650V 50A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+432.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1 IXYA20N65C3D1 Виробник : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_20n65c3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1 IXYA20N65C3D1 Виробник : IXYS media-3319979.pdf IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.