Продукція > IXYS > IXYA60N65A5
IXYA60N65A5

IXYA60N65A5 IXYS

Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA60N65A5_Datasheet.pdf
Виробник: IXYS
IGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
на замовлення 378 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+468.80 грн
10+246.81 грн
100+195.70 грн
500+170.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYA60N65A5 IXYS

Description: IGBT TRENCH FS 650V 134A TO-263, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns, Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off), Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 128 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 134 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A, Power - Max: 395 W.

Інші пропозиції IXYA60N65A5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXYA60N65A5 IXYA60N65A5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYA60N65A5Datasheet.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 134A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA60N65A5 IXYA60N65A5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYA60N65A5Datasheet.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 260A
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA60N65A5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYA60N65A5Datasheet.pdf
IXYA60N65A5
Виробник: IXYS
Description: IGBT TRENCH FS 650V 134A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA60N65A5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYA60N65A5Datasheet.pdf
IXYA60N65A5
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 260A
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.