Продукція > IXYS > IXYH120N65A5
IXYH120N65A5

IXYH120N65A5 IXYS

IXYH120N65A5.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 290A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/370ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 790 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+886.92 грн
30+515.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYH120N65A5 IXYS

Description: IGBT PT 650V 290A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/370ns, Switching Energy: 1.25mJ (on), 3.2mJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 314 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 290 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 790 A, Power - Max: 830 W.

Інші пропозиції IXYH120N65A5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXYH120N65A5 IXYH120N65A5 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh120n65a5_datasheet.pdf IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5 IXYS IXYH120N65A5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 830W; TO247-3
Collector current: 120A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 790A
Power dissipation: 830W
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh120n65a5_datasheet.pdf
IXYH120N65A5
Виробник: IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5 IXYH120N65A5.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 830W; TO247-3
Collector current: 120A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 790A
Power dissipation: 830W
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.