Продукція > IXYS > IXYH20N120C3D1
IXYH20N120C3D1

IXYH20N120C3D1 IXYS

DS100485BIXYH20N120C3D1.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 36A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+638.65 грн
30+362.92 грн
120+307.68 грн
510+263.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYH20N120C3D1 IXYS

Description: IGBT 1200V 36A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 195 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns, Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 53 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 36 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A, Power - Max: 230 W.

Інші пропозиції IXYH20N120C3D1 за ціною від 564.20 грн до 644.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 IXYS IXYH20N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+644.13 грн
3+564.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH20N120C3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1.pdf
IXYH20N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+644.13 грн
3+564.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH20N120C3D1_Datasheet.PDF
IXYH20N120C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.