Продукція > IXYS > IXYH20N65B3

IXYH20N65B3 IXYS

media?resourcetype=datasheets&itemid=1ada074a-a195-4f5e-bc03-b3cf3a2bd9e1&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_20n65b3_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Description: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD
Power - Max: 230 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Part Status: Active
Gate Charge: 29 nC
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/103ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYH20N65B3 IXYS

Description: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD, Power - Max: 230 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 58 A, Part Status: Active, Gate Charge: 29 nC, Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V, Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 12ns/103ns, IGBT Type: PT, Supplier Device Package: TO-247AD, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXYH20N65B3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXYH20N65B3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=1ada074a-a195-4f5e-bc03-b3cf3a2bd9e1&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_20n65b3_datasheet.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 58A; 230W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 108A
Transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 58A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 230W
Gate charge: 29nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N65B3 media?resourcetype=datasheets&itemid=1ada074a-a195-4f5e-bc03-b3cf3a2bd9e1&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_20n65b3_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 58A; 230W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 108A
Transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 58A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 230W
Gate charge: 29nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.