.jpg "IXYH30N120C3D1")
IXYH30N120C3D1 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT 1200V 66A 416W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 66 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 133 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 892.61 грн |
| 30+ | 695.64 грн |
| 120+ | 654.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYH30N120C3D1 IXYS
Description: IGBT 1200V 66A 416W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 195 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns, Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 69 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 66 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 133 A, Power - Max: 416 W.
Інші пропозиції IXYH30N120C3D1 за ціною від 651.59 грн до 968.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYH30N120C3D1 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX4 XPT IGBT |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXYH30N120C3D1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 66A 416000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXYH30N120C3D1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 416W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 133A Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Turn-on time: 71ns Turn-off time: 296ns кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXYH30N120C3D1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 416W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 133A Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Turn-on time: 71ns Turn-off time: 296ns |
товар відсутній |