
IXYH30N65C3 IXYS

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYH30N65C3 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 270W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 44nC, Kind of package: tube, Collector-emitter voltage: 650V, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 30A, Pulsed collector current: 118A, Turn-on time: 59ns, Turn-off time: 0.12µs, Technology: GenX3™; Planar; XPT™, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXYH30N65C3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXYH30N65C3 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXYH30N65C3 | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXYH30N65C3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 118A Turn-on time: 59ns Turn-off time: 0.12µs Technology: GenX3™; Planar; XPT™ |
товару немає в наявності |