Продукція > IXYS > IXYH30N65C3
IXYH30N65C3

IXYH30N65C3 IXYS


IXYH(P)30N65C3.pdf Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYH30N65C3 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 270W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 44nC, Kind of package: tube, Collector-emitter voltage: 650V, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 30A, Pulsed collector current: 118A, Turn-on time: 59ns, Turn-off time: 0.12µs, Technology: GenX3™; Planar; XPT™, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXYH30N65C3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYH30N65C3 IXYH30N65C3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_30n65c3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 650V 60A 270W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns
Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3 IXYH30N65C3 Виробник : IXYS media-3319703.pdf IGBTs TO247 650V 30A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3 IXYH30N65C3 Виробник : IXYS IXYH(P)30N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.