.jpg "IXYH30N65C3")
IXYH30N65C3 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT 650V 60A 270W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns
Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYH30N65C3 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; Planar; XPT™, Power dissipation: 270W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 44nC, Kind of package: tube, Collector-emitter voltage: 650V, Turn-on time: 59ns, Turn-off time: 0.12µs, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 30A, Pulsed collector current: 118A.
Інші пропозиції IXYH30N65C3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYH30N65C3 | Виробник : IXYS |
IGBTs TO247 650V 30A GENX3 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXYH30N65C3 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 59ns Turn-off time: 0.12µs Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 118A |
товару немає в наявності |