Технічний опис IXYH30N65C3H1 Littelfuse
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 30A, Power dissipation: 270W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 118A, Mounting: THT, Gate charge: 44nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 59ns, Turn-off time: 0.12µs, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXYH30N65C3H1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYH30N65C3H1 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|
| IXYH30N65C3H1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
||
 |
IXYH30N65C3H1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 118A Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Turn-on time: 59ns Turn-off time: 0.12µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
.jpg "IXYH30N65C3H1") |
IXYH30N65C3H1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 650V 60A 270W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
товар відсутній |
|
 |
IXYH30N65C3H1 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors 650V/60A XPT C3 Copacked TO-247 |
товар відсутній |
|
|
|
IXYH30N65C3H1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 118A Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Turn-on time: 59ns Turn-off time: 0.12µs |
товар відсутній |