Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYH40N65C3H1 IXYS
Description: IGBT PT 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 (IXYH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns, Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 300 W.
Інші пропозиції IXYH40N65C3H1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYH40N65C3H1 | IXYS |
 Description: IGBT PT 650V 80A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 (IXYH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 300 W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXYH40N65C3H1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 65ns Turn-off time: 206ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IXYH40N65C3H1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH40N65C3H1 - IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35 DC-Kollektorstrom: 40 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Verlustleistung Pd: 300 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IXYH40N65C3H1 | Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXYH40N65C3H1 |
|
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
Description: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXYH40N65C3H1 |
|
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXYH40N65C3H1 |
|
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH40N65C3H1 - IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH40N65C3H1 - IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXYH40N65C3H1 |
|
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.