на замовлення 242 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 789.63 грн |
| 10+ | 636.22 грн |
| 30+ | 500.26 грн |
| 120+ | 463.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYH40N65C3H1 IXYS
Description: IGBT PT 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 (IXYH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns, Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 300 W.
Інші пропозиції IXYH40N65C3H1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYH40N65C3H1 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|
 |
IXYH40N65C3H1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|
 |
IXYH40N65C3H1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 65ns Turn-off time: 206ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXYH40N65C3H1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PT 650V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 (IXYH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 300 W |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXYH40N65C3H1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 65ns Turn-off time: 206ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ |
товару немає в наявності |