Продукція > LITTELFUSE > IXYH40N65C3H1
IXYH40N65C3H1

IXYH40N65C3H1 Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYH40N65C3H1 Littelfuse

Description: IGBT PT 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 (IXYH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns, Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 300 W.

Інші пропозиції IXYH40N65C3H1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYH40N65C3H1 IXYH40N65C3H1 Виробник : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh40n65c3h1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1 IXYH40N65C3H1 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA983129FB89820&compId=IXYH40N65C3H1.pdf?ci_sign=cf3acc3425587367e01a2ddb8d46796446484611 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1 IXYH40N65C3H1 Виробник : IXYS Description: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1 IXYH40N65C3H1 Виробник : IXYS media-3321810.pdf IGBTs 650V/80A XPT Copacked TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1 IXYH40N65C3H1 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA983129FB89820&compId=IXYH40N65C3H1.pdf?ci_sign=cf3acc3425587367e01a2ddb8d46796446484611 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.