Продукція > IXYS > IXYH50N120C3D1
IXYH50N120C3D1

IXYH50N120C3D1 IXYS

Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH50N120C3D1_Datasheet.PDF Виробник: IXYS
IGBTs XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+818.35 грн
10+638.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYH50N120C3D1 IXYS

Description: IGBT 1200V 90A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 195 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns, Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 142 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A, Power - Max: 625 W.

Інші пропозиції IXYH50N120C3D1 за ціною від 628.97 грн до 1235.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 Виробник : IXYS IXYH50N120C3d1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 210A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+953.79 грн
3+819.24 грн
10+782.34 грн
30+701.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 Виробник : IXYS IXYH50N120C3d1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 210A
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1144.55 грн
3+1020.90 грн
10+938.80 грн
30+841.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1200V 90A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1235.67 грн
30+729.77 грн
120+628.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 Виробник : Ixys Corporation ttelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 90A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 90A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.