IXYH50N65C3

IXYH50N65C3 Littelfuse


littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_50n65c3_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 650V 132A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYH50N65C3 Littelfuse

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; Planar; XPT™, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 600W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 250A, Mounting: THT, Gate charge: 86nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 56ns, Turn-off time: 145ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXYH50N65C3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXYH50N65C3 IXYH50N65C3 Виробник : IXYS IXY_50N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXYH50N65C3 IXYH50N65C3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_50n65c3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 650V 130A 600W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
товар відсутній
IXYH50N65C3 IXYH50N65C3 Виробник : IXYS ixys_s_a0001273953_1-2272630.pdf IGBT Transistors 650V/130A XPT C3-Class TO-247
товар відсутній
IXYH50N65C3 IXYH50N65C3 Виробник : IXYS IXY_50N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
товар відсутній