Продукція > IXYS > IXYH50N65C3D1
IXYH50N65C3D1

IXYH50N65C3D1 IXYS

media?resourcetype=datasheets&itemid=834EE2EA-9CEA-402F-8D05-EFCC34AF555B&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH50N65C3D1-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 132A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 800µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYH50N65C3D1 IXYS

Description: IGBT 650V 132A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 36 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns, Switching Energy: 800µJ (on), 800µJ (off), Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 86 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 132 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A, Power - Max: 600 W.

Інші пропозиції IXYH50N65C3D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXYH50N65C3D1 IXYH50N65C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH50N65C3D1_Datasheet.PDF IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1 IXYH50N65C3D1 IXYS IXYH50N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH50N65C3D1_Datasheet.PDF
IXYH50N65C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1 IXYH50N65C3D1.pdf
IXYH50N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.