IXYH55N120C4 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 140A TO247
Power - Max: 650 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Part Status: Active
Gate Charge: 114 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.34mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 675.67 грн |
| 30+ | 382.26 грн |
| 120+ | 323.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYH55N120C4 IXYS
Description: IGBT 1200V 140A TO247, Power - Max: 650 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 290 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 140 A, Part Status: Active, Gate Charge: 114 nC, Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V, Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.34mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 55A, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXYH55N120C4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXYH55N120C4 | IXYS |
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247 |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
IXYH55N120C4 | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXYH55N120C4 - IGBT, 140 A, 2.1 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XPT Gen 4 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXYH55N120C4 |
![]() |
Виробник: IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IXYH55N120C4 |
![]() |
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXYH55N120C4 - IGBT, 140 A, 2.1 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: LITTELFUSE - IXYH55N120C4 - IGBT, 140 A, 2.1 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




