Продукція > IXYS > IXYH60N65A5
IXYH60N65A5

IXYH60N65A5 IXYS

Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYH60N65A5Datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT TRENCH FS 650V 134A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+519.96 грн
30+288.58 грн
120+242.03 грн
510+195.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYH60N65A5 IXYS

Description: IGBT TRENCH FS 650V 134A TO-247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-247 (IXYH), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns, Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off), Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 128 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 134 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A, Power - Max: 395 W.

Інші пропозиції IXYH60N65A5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXYH60N65A5 IXYH60N65A5 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH60N65A5_Datasheet.pdf IGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N65A5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYH60N65A5Datasheet.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 395W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 260A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N65A5 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH60N65A5_Datasheet.pdf
IXYH60N65A5
Виробник: IXYS
IGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N65A5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYH60N65A5Datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 395W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 260A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.