Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYH75N65C3 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; Planar; XPT™, Power dissipation: 750W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 123nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 90ns, Turn-off time: 179ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 75A, Collector-emitter voltage: 650V, Pulsed collector current: 360A.
Інші пропозиції IXYH75N65C3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXYH75N65C3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 750W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Turn-on time: 90ns Turn-off time: 179ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 360A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXYH75N65C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 360A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 360A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.



