на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1313.21 грн |
| 10+ | 1293.59 грн |
| 30+ | 868.26 грн |
| 120+ | 613.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYH75N65C3H1 IXYS
Description: IGBT PT 650V 170A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/93ns, Switching Energy: 2.8mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 123 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 170 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A, Power - Max: 750 W.
Інші пропозиції IXYH75N65C3H1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYH75N65C3H1 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 170A 750000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|
 |
IXYH75N65C3H1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 750W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Collector current: 75A Pulsed collector current: 360A Turn-on time: 90ns Turn-off time: 179ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXYH75N65C3H1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PT 650V 170A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 27ns/93ns Switching Energy: 2.8mJ (on), 1mJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 123 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 170 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A Power - Max: 750 W |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXYH75N65C3H1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 750W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Collector current: 75A Pulsed collector current: 360A Turn-on time: 90ns Turn-off time: 179ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V |
товару немає в наявності |