
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1444.73 грн |
10+ | 976.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYH85N120A4 IXYS
Description: IGBT PT 1200V 300A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 85A, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/400ns, Switching Energy: 4.9mJ (on), 8.3mJ (off), Test Condition: 600V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 200 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 300 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 520 A, Power - Max: 1150 W.
Інші пропозиції IXYH85N120A4 за ціною від 839.06 грн до 1517.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXYH85N120A4 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PT 1200V 300A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 85A Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 40ns/400ns Switching Energy: 4.9mJ (on), 8.3mJ (off) Test Condition: 600V, 60A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 520 A Power - Max: 1150 W |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
IXYH85N120A4 Код товару: 197385
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
![]() |
IXYH85N120A4 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXYH85N120A4 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 73ns Gate charge: 200nC Turn-off time: 990ns Collector current: 85A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 520A Power dissipation: 1.15kW Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: GenX4™; Trench™; XPT™ Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXYH85N120A4 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 73ns Gate charge: 200nC Turn-off time: 990ns Collector current: 85A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 520A Power dissipation: 1.15kW Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: GenX4™; Trench™; XPT™ Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 |
товару немає в наявності |