Продукція > LITTELFUSE > IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV

IXYH8N250CHV Littelfuse

media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+1234.52 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYH8N250CHV Littelfuse

Description: IGBT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 5 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-247HV, Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns, Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off), Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 45 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 29 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A, Power - Max: 280 W.

Інші пропозиції IXYH8N250CHV за ціною від 861.71 грн до 1754.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYH8N250CHV IXYH8N250CHV Виробник : IXYS IXY_8N250CHV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 8A; 280W; TO247HV
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 328ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 280W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 45nC
Technology: XPT™
Mounting: THT
Case: TO247HV
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1461.68 грн
2+1283.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHV IXYH8N250CHV Виробник : IXYS media-3321458.pdf IGBTs TO263 2500V 8A XPT
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1597.42 грн
10+1387.18 грн
30+1141.51 грн
60+1108.02 грн
120+1043.28 грн
270+942.08 грн
2520+861.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHV IXYH8N250CHV Виробник : IXYS IXY_8N250CHV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 8A; 280W; TO247HV
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 328ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 280W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 45nC
Technology: XPT™
Mounting: THT
Case: TO247HV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1754.02 грн
2+1599.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHV IXYH8N250CHV Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n250chv_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CHV IXYH8N250CHV Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n250chv_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247HV
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.